This is default featured post 1 title

Go to Blogger edit html and find these sentences.Now replace these sentences with your own descriptions.This theme is Bloggerized by Lasantha Bandara - Premiumbloggertemplates.com.

This is default featured post 2 title

Go to Blogger edit html and find these sentences.Now replace these sentences with your own descriptions.This theme is Bloggerized by Lasantha Bandara - Premiumbloggertemplates.com.

This is default featured post 3 title

Go to Blogger edit html and find these sentences.Now replace these sentences with your own descriptions.This theme is Bloggerized by Lasantha Bandara - Premiumbloggertemplates.com.

This is default featured post 4 title

Go to Blogger edit html and find these sentences.Now replace these sentences with your own descriptions.This theme is Bloggerized by Lasantha Bandara - Premiumbloggertemplates.com.

This is default featured post 5 title

Go to Blogger edit html and find these sentences.Now replace these sentences with your own descriptions.This theme is Bloggerized by Lasantha Bandara - Premiumbloggertemplates.com.

PEMBANGKIT LISTRIK TENAGA NUKLIR (PLTN)

PEMBANGKIT LISTRIK TENAGA NUKLIR
Oleh : 
Putu Yudi Astrawan Putra (0405031001), 
I Made Agus Juniada (0405031004)
Jur. D3 Teknik Elektro, Universitas Pendidikan Ganesha, Bali.

Pertumbuhan ekonomi selalu diikuti dengan peningkatan kebutuhan masyarakat akan listrik. Tanpa listrik pertumbuhan ekonomi adalah mustahil karena listrik adalah penggerak roda perekonomian masyarakat. Kebutuhan energi listrik pada era globalisasi ini kebutuhannya semakin meningkat. Terlebih lagi pada saat beban puncak. Beban puncak penggunaan listrik didunia berkisar antara pukul 18.00 – 22.00 (Sumber: http://www.plnbali.co.id/  diakses pada hari Kamis, 08 September 2005). Peningkatan beban listrik ini diakibatkan karena pada waktu-waktu ini masyarakat umumnya secara bersamaan menggunakan listrik sebagai sumber daya untuk menghidupkan lampu penerangan, menghidupkan televisi dan lain-lain. 
Di negara kita, pembangkit listrik yang memanfaatkan tenaga nuklir atau umum disebutkan dengan istilah PLTN (Pembangkit Listrik Tenaga Nuklir) masih belum banyak dimanfaatkan karena di mata masyarakat limbah dari pembangkit listrik ini sangat mengancam ekosistem disekitarnya.  Dari beberapa latar belakang  diatas maka penyusun memberanikan diri untuk menyusun makalah tentang Pembangkit Listrik Tenaga Nuklir (PLTN) ini.








TUTORIAL 2, DAMPAK NEGATIF PLTN





LINK TERKAIT PLTN LAINNYA (SUMBER BATAN.GO.ID) :


PUIL 2000

PUIL 2000 (PERSYARATAN UMUM INSTALASI LISTRIK TAHUN 2000)

Peraturan instalasi listrik yang pertama kali digunakan sebagai pedoman beberapa instansi yang berkaitan dengan instalasi listrik adalah AVE (Algemene Voorschriften voor Electrische Sterkstroom Instalaties) yang diterbitkan sebagai Norma N 2004 oleh Dewan Normalisasi Pemerintah Hindia Belanda. Kemudian AVE N 2004 ini diterjemahkan ke dalam bahasa Indonesia dan diterbitkan pada tahun 1964 sebagai Norma Indonesia NI6 yang kemudian dikenal sebagai Peraturan Umum Instalasi Listrik disingkat PUIL 1964, yang merupakan penerbitan pertama dan PUIL 1977 dan 1987 adalah penerbitan PUIL yang kedua dan ketiga
yang merupakan hasil penyempurnaan atau revisi dari PUIL sebelumnya, maka PUIL 2000 ini merupakan terbitan ke 4. Jika dalam penerbitan PUIL 1964, 1977 dan 1987 nama buku ini adalah Peraturan Umum Instalasi Listrik, maka pada penerbitan sekarang tahun 2000, namanya menjadi Persyaratan Umum Instalasi Listrik dengan tetap mempertahankan singkatannya yang sama yaitu PUIL. 

Penggantian dari kata “Peraturan” menjadi “Persyaratan” dianggap lebih tepat karena pada perkataan “peraturan” terkait pengertian adanya kewajiban untuk mematuhi ketentuannya dan sangsinya. Sebagaimana diketahui sejak AVE sampai dengan PUIL 1987 pengertian kewajiban  mematuhi ketentuan dan  sangsinya tidak diberlakukan sebab isinya selain mengandung hal-hal yang dapat dijadikan peraturan juga mengandung rekomendasi ataupun ketentuan atau persyaratan teknis yang dapat dijadikan pedoman dalam pelaksanaan pekerjaan instalasi listrik.

Sejak dilakukannya penyempurnaan PUIL 1964, publikasi atau terbitan standar IEC (International Electrotechnical Commission) khususnya IEC 60364 menjadi salah satu acuan utama disamping standar internasional lainnya. Juga dalam terbitan PUIL 2000, usaha untuk lebih mengacu IEC ke dalam PUIL terus dilakukan, walaupun demikian dari segi kemanfaatan atau kesesuaian dengan keadaan di Indonesia beberapa ketentuan mengacu pada standar dari NEC (National Electric Code), VDE (Verband Deutscher Elektrotechniker) dan SAA (Standards Association Australia).

PUIL 2000 merupakan hasil revisi dari PUIL 1987, yang dilaksanakan oleh Panitia Revisi PUIL 1987 yang ditetapkan oleh Menteri Pertambangan dan Energi dalam Surat Keputusan Menteri No:24-12/40/600.3/1999, tertanggal 30 April 1999 dan No:51-12/40/600.3/1999, tertanggal 20 Agustus 1999. Anggota Panitia Revisi PUIL tersebut terdiri dari wakil dari berbagai Departemen seperti DEPTAMBEN, DEPKES, DEPNAKER, DEPERINDAG, BSN, PT PLN, PT Pertamina, YUPTL, APPI, AKLI, INKINDO, APKABEL, APITINDO, MKI, HAEI, Perguruan Tinggi ITB, ITI, ISTN, UNTAG, STTY-PLN, PT Schneider Indonesia dan pihak pihak lain yang terkait.

Bagian 1 dan Bagian 2 tentang Pendahuluan dan Persyaratan dasar merupakan padanan dari IEC 364-1  Part 1 dan  Part 2 tentang  Scope,  Object Fundamental Principles and Definitions.

Bagian 3 tentang Proteksi untuk keselamatan banyak mengacu pada IEC 60364 Part 4 tentang Protection for safety. Bahkan istilah yang berkaitan dengan tindakan proteksi seperti SELV yang bahasa Indonesianya adalah tegangan extra rendah pengaman digunakan sebagai istilah baku, demikian pula istilah PELV dan FELV. PELV adalah istilah SELV yang dibumikan sedangkan FELV adalah sama dengan tegangan extra rendah fungsional. Sistem kode untuk menunjukan tingkat proteksi yang diberikan oleh selungkup dari sentuh langsung ke bagian yang berbahaya, seluruhnya diambil dari IEC dengan kode IP (International Protection). Demikian pula halnya dengan pengkodean jenis sistem pembumian. Kode TN mengganti kode PNP dalam PUIL 1987, demikian juga kode TT untuk kode PP dan kode IT untuk kode HP.

Bagian 4 tentang Perancangan instalasi listrik, dalam IEC 60364 Part 3 yaitu Assessment of General Characteristics, tetapi isinya banyak mengutip dari SAA Wiring Rules dalam section General Arrangement tentang perhitungan kebutuhan maksimum dan penentuan jumlah titik sambung pada sirkit akhir.

Bagian 5 tentang Perlengkapan Listrik mengacu pada IEC 60364 Part 5: Selection and erection of electrical equipment dan standar NEC. 

Bagian 6 tentang Perlengkapan hubung bagi dan kendali (PHB) serta komponennya merupakan pengembangan Bab 6 PUIL 1987 dengan ditambah unsur unsur dari NEC. 

Bagian 7 tentang Penghantar dan pemasangannya tidak banyak berubah dari Bab 7 PUIL 1987. Perubahan yang ada mengacu pada IEC misalnya cara penulisan kelas tegangan dari penghantar. Ketentuan dalam Bagian 7 ini banyak mengutip dari standar VDE. Dan hal hal yang berkaitan dengan tegangan tinggi dihapus.

Bagian 8 tentang Ketentuan untuk berbagai ruang dan instalasi khusus merupakan pengembangan dari Bab 8 PUIL 1987. Dalam PUIL 2000 dimasukkan pula klarifikasi zona yang diambil dari IEC, yang berpengaruh pada pemilihan dari perlengkapan listrik dan cara pemasangannya di berbagai ruang khusus. Ketentuan dalam Bagian 8 ini merupakan bagian dari IEC 60364 Part 7, Requirements for special installations or locations.   Bagian 9 meliputi Pengusahaan instalasi listrik. Pengusahaan dimaksudkan sebagai perancangan, pembangunan, pemasangan, pelayanan, pemeliharaan, pemeriksaan dan pengujian instalasi listrik serta proteksinya. Di IEC 60364, pemeriksaan dan pengujian awal instalasi listrik dibahas dalam Part 6: Verification.

PUIL 2000 berlaku untuk instalasi listrik dalam bangunan dan sekitarnya untuk tegangan rendah sampai 1000 V a.b dan 1500 V a.s, dan gardu transformator distribusi tegangan menengah sampai dengan 35 kV. Ketentuan tentang transformator distribusi tegangan menengah mengacu dari NEC 1999.

Pembagian dalam sembilan bagian dengan judulnya pada dasarnya sama dengan bagian yang sama pada PUIL 1987. PUIL 2000 tidak menyebut pembagiannya dalam Pasal, Subpasal, Ayat atau Subayat. Pembedaan tingkatnya dapat dilihat dari sistim penomorannya dengan digit. Contohnya Bagian 4, dibagi dalam 4.1; 4.2; dan seterusnya, sedangkan 4.2 dibagi dalam 4.2.1 sampai dengan 4.2.9 dibagi lagi dalam 4.2.9.1 sampai dengan 4.2.9.4. Jadi untuk menunjuk kepada suatu ketentuan, cukup dengan menuliskan nomor dengan jumlah digitnya.

Seperti halnya pada PUIL 1987, PUIL 2000 dilengkapi pula dengan indeks dan lampiran lampiran lainnya pada akhir buku. Lampiran mengenai pertolongan pertama pada korban kejut listrik yang dilakukan dengan pemberian pernapasan bantuan, diambilkan dari standar SAA, berbeda dengan PUIL 1987.  Untuk menampung perkembangan di bidang instalasi listrik misalnya karena adanya ketentuan baru dalam IEC yang dipandang penting untuk dimasukkan dalam PUIL, atau karena adanya saran, tanggapan dari masyarakat pengguna PUIL, maka dikandung maksud bila dipandang perlu akan menerbitkan amandemen pada PUIL 2000. Untuk menangani hal hal tersebut telah dibentuk Panitia Tetap PUIL. Panitia Tetap PUIL dapat diminta
pendapatnya jika terdapat ketidakjelasan dalam memahami dan menerapkan ketentuan PUIL 2000. Untuk itu permintaan penjelasan dapat ditujukan kepada Panitia Tetap PUIL. 

PUIL 2000 ini diharapkan dapat memenuhi keperluan pada ahli dan teknisi dalam melaksanakan tugasnya sebagai perancang, pelaksana, pemilik instalasi listrik dan para inspektor instalasi listrik. Meskipun telah diusahakan sebaik-baiknya, panitia revisi merasa bahwa dalam persyaratan ini mungkin masih terdapat kekurangannya. Tanggapan dan saran untuk perbaikan persyaratan ini sangat diharapkan.

PUIL 2000 ini tidak mungkin terwujud tanpa kerja keras dari seluruh anggota Panitia Revisi PUIL 1987, dan pihak pihak terkait lainnya yang telah memberikan berbagai macam bantuan baik dalam bentuk tenaga, pikiran, sarana maupaun dana sehingga PUIL 2000 dapat diterbitkan dalam bentuknya yang sekarang. Atas segala bantuan tersebut Panitia Revisi PUIL mengucapkan terima kasih sebesar besarnya.
Jakarta, Desember 2000
Panitia Revisi PUIL

TEKNOLOGI SEMIKONDUKTOR SEKARANG DAN YANG AKAN DATANG


 Wilson Walery Wenas

Kemampuan menguasai teknologi tinggi adalah merupakan syarat mutlak bagi suatu negara untuk memasuki negara industri baru. Salah satu bidang teknologi tinggi yang sangat mempengaruhi peradaban manusia di abad ini adalah teknologi semikonduktor dan mikroelektronika. Bidang ini biasanya dianalogikan dengan tiga kata bahasa Inggris yang mempengaruhi kehidupan modern yaitu Computer, Component dan communication. Untuk komputer, topik utama dalam bidang ini adalah bagaimana membuat komputer menjadi lebih cepat, lebih ramping dengan fungsi yang lebih kompleks dan komsumsi daya yang makin kecil. Untuk tujuan tersebut, terdapat dua pendekatan yang saling mendukung yakni dari segi hardware dan software. Dari segi hardware adalah bagaimana membuat transistor sebagai komponen aktif terkecil menjadi semakin kecil dan berkecepatan tinggi. Dari segi software adalah bagaimana mendesain rangkaian terpadu (integrated circuit) yang makin kompleks menjadi semakin ramping dan kompak. Tulisan di bawah ini membahas mengenai pendekatan dari segi hardware yakni perkembangan dari divais-divais elektron (elektron devices) saat ini dan yang akan datang sebagai komponen dasar peralatan semikonduktor/elektronika, dengan tinjauan dari sudut material semikonduktor itu sendiri.

Teknologi Silikon

Pembahasan tentang divais semikonduktor tentunya tidak bisa lepas dari material semikonduktor itu sendiri sebagai bahan dasar pembuatan divais tersebut. Silikon (Si) dengan persediaan yang berlimpah di bumi dan dengan teknologi pembuatan kristalnya yang sudah mapan, telah menjadi pilihan dalam teknologi semikonduktor. Silikon very large scale integration (VLSI) telah membuka era baru dalam dunia elektronika di abad ke-20 ini. Kebutuhan akan kecepatan yang lebih tinggi dan unjuk kerja yang lebih baik dari komputer telah mendorong teknologi silikon VLSI ke silikon ultra high scale integration (ULSI). Saat ini metaloxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) masih dominan sebagai divais dasar teknologi integrated circuit (IC). Dimensi dari MOSFET menjadi semakin kecil dan akan menjadi sekitar 0,1 mikron untuk ukuran giga­bit dynamic random acces memories (DRAMs). Beberapa masalah yang timbul dalam usaha memperkecil dimensi dari MOSFET antara lain efek short channel dan hot carrier yang akan mengurangi unjuk kerja dari transistor itu sendiri.
Walaupun sudah banyak kemajuan yang dicapai, pertanyaan yang selalu muncul adalah sampai seberapa jauh limit pengecilan yang dapat dilakukan ditinjau dari segi proses produksi, sifat fisika dari divais itu sendiri dan interkoneksinya. Banyak masalah dari segi fabrikasi yang dapat menjadi penghambat. Sebagai salah satu contoh keterbatasan dari proses produksi adalah teknik lithography yaitu teknik yang diperlukan untuk merealisasikan desain sirkuit ke lempengan (waver) silikon dalam proses fabrikasi IC. Dengan menggunakan cahaya sebagai sumber berkas, dimensi dari lithography dengan sendirinya akan dibatasi oleh panjang gelombang dari cahaya itu sendiri. Oleh sebab itu
dikembangkan teknik lithography yang lain menggunakan sinar-X dan berkas elektron. Dengan menggunakan kedua teknik ini tidak terlalu ekonomis untuk digunakan pada proses produksi IC secara massal. Dari uraian di atas, terlihat masih adanya beberapa masalah yang akan timbul dalam proses fabrikasi IC di masa yang akan datang.

Teknologi berbasis silikon

Seperti diketahui, ditinjau dari struktur elektronikanya, material semikonduktor dapat dibedakan atas dua jenis yaitu yang memiliki celah pita energi langsung (direct bandgap) dan celah pita energi tidak langsung (indirect bandgap). Silikon adalah material dengan celah energi yang tidak langsung, di mana nilai minimum dari pita konduksi dan nilai maksimum dari pita valensi tidak bertemu pada satu harga momentum yang sama. Ini berarti agar terjadi eksitasi dan rekombinasi dari membawa muatan diperlukan perubahan yang besar pada nilai momentumnya. Dengan kata lain, silikon sulit memancarkan cahaya. Sifat ini menyebabkan silikon tidak layak digunakan sebagai piranti fotonik/optoelektronik, sehingga tertutup kemungkinan misalnya membuat IC yang di dalamnya terkandung detektor optoelektronik atau suatu sumber pemamcar cahaya dengan hanya menggunakan material silikon saja. Beberapa usaha telah dilakukan untuk mengatasi hal ini antara lain dengan mengembangkan apa yang dikenal sebagai bandgap engineering. Salah satu contohnya adalah menumbuhkan struktur material SiGe/Si straitned layer superlattice. Parameter mekanik strain yang timbul karena perbedaan konstanta kisi kristal antara lapisan SiGe dan Si tersebut akan mempengaruhi struktur elektronik dari material di atas sehingga muncul efek brillioun-zone folding yang mengubah struktur pitanya menyerupai material dengan celah energi langsung (direct bandgap). Kombinasi dari kedua material tersebut memungkinkan terjadinya pemancaran dan penyerapan cahaya. Cara lain yang juga popular untuk memperbaiki sifat optik dari silikon adalah apa yang dinamakan material silikon porous. Dengan pelarutan secara elektrokimia, pada lempeng silikon dapat berbentuk lubang-lubang yang berukuran puluhan angstrom. Dengan bantuan sinar laser, akan dapat dilihat dengan mata telanjang pemancaran cahaya dari material silikon tersebut. Fenomena ini dapat dijelaskan dengan menggunakan model two-dimensional quantum confinement. Kelemahan dari teknik ini adalah sifat reproducibility-nya yang rendah. Kemajuan-kemajuan di atas membuka era baru bagi material silikon dan panduannya untuk diaplikasikan pada divais optoelektronika.

Teknologi GaAs

Salah satu hambatan dari teknologi silikon adalah sifat listrik yang berhubungan dengan rendahnya mobilitas pembawa muatan dari material silikon ini. Mobilitas adalah parameter yang menyatakan laju dari pembawa muatan dalam semikonduktor bila diberi medan listrik. Untuk membuat piranti berkecepatan tinggi, galium arsenide (GaAs) dan material-material panduannya telah dipertimbangkan sebagai material pengganti silikon. Selain untuk divais elektron, material ini juga digunakan divais fotonik/laser dan divais gelombang mikro (microwave device). GaAs adalah material semikonduktor dari golongan III-V yang memiliki mobilitas elektron sekitar enam kali lebih tinggi dari silikon pada suhu ruang. Material ini bertipe celah energi langsung. Dengan
memanfaatkan kelebihan ini, telah berhasil dibuat transistor yang disebut high electron mobility transistor (HEMT), menyusul transistor yang lebih dahulu popular untuk teknologi GaAs yaitu metal semiconductor field effect transistors (MESFET). Struktur dari HEMT mirip dengan MOSFET, tapi dengan menggunakan teknik modulasi doping, di mana elektron dapat dipisahkan dari ion pengotornya dan bergerak dalam sumur potensial dua dimensi (2DEG) dengan kecepatan tinggi. Pengembangan IC dengan berbasis material GaAs saat ini juga sedang ramai diteliti. Beberapa tahun yang lalu telah berhasil dibuat 64 kb static random access memory (SRAM) yang berkecepatan tinggi sebesar 2ns dengan menggunakan teknologi HEMT berukuran 0,6 mikron. Transistor berkecepatan tinggi lainnya yang sedang dikembangkan adalah heterojunction bipolar transistor (HBT). Struktur dari transistor ini adalah sambungan npn di mana emiter menggunakan material dengan celah energi yang lebih besar dibandingkan dengan base dan kolektor. Pada kondisi ini, diharapkan resistansi dari base dan kapasitansi dari sambungan base-emitter akan dapat direduksi sehingga dapat diperoleh frekuensi maksimum osilasi (fmaks) yang tinggi. Saat ini sudah dibuat HBT dengan fmaks 200 GHz. Walaupun banyak kemajuan yang sudah dicapai, banyak orang meragukan kemampuan teknologi GaAs ini untuk dapat bersaing dengan teknologi silikon dalam orde 0,1 mikron atau yang lebih kecil. Itulah sebabnya, banyak perusahaan semikonduktor terutama di Amerika Serikat yang tidak menganggap teknologi GaAs ini sebagai pengganti silikon.

Divais kuantum

Dewasa ini, perhatian besar juga diberikan pada struktur semikonduktor berdimensi rendah (low-dimensional semiconductor) seperti quantum well (2D), quantum wire (1D) dan quantum dot (0D). Struktur seperti ini adalah pembuka jalan ke era fabrikasi nanoteknologi dan divais kuantum (quantum device). Telah diketahui bahwa bila elektron dikurung dalam daerah potensial dengan dimensi yang sama dengan panjang gelombangnya maka akan muncul sifat gelombang elektron dan berbagai fenomena kuantum akan dapat diamati. Beberapa fenomena kuantum dapat mengurangi performansi dari divais itu sendiri sedangkan fenomena yang lain dapat memacu terciptanya divais kuantum yang baru. Beberapa divais kuantum seperti wire-transistor, single-electron transistor sudah berhasil dibuat dan menunjukkan kecepatan yang tinggi. Permasalahan yang timbul dari divais yang dibuat berdasarkan struktur semikonduktor dimensi rendah ini adalah arus drive yang rendah sehingga masih sulit untuk diaplikasikan. Secara umum, permasalahan yang dihadapi divais kuantum ini adalah operasi kerjanya yang masih harus dilakukan pada suhu rendah (seperti suhu helium cair : 4,2K) agar dapat diamati fenomena kuantum secara jelas. Hal ini tentunya akan menaikkan ongkos pembuatan sehingga belum menarik untuk diproduksi.

Intelligent material

Dari uraian di atas terlihat bahwa meskipun perkembangan divais semikonduktor dewasa ini sangat cepat, beberapa hambatan sudah mulai terlihat. Pertanyaan yang muncul adalah apakah usaha-usaha untuk memperbaiki performasi dari divais semikonduktor dapat terus dilakukan dengan pola yang ada sekarang ini atau harus dicari pola yang lain. Pola yang
ada sekarang adalah bahwa dalam teknologi IC, transistor sebagai divais aktif dasar hanya mempunyai satu fungsi saja dan kemudian diubah menjadi berfungsi banyak dengan bantuan disain sirkuit dan software. Dengan berkembangnya permintaan untuk menciptakan suatu rangkaian terpadu yang makin kompleks, beban yang ditanggung oleh disain software akan makin berat sehingga kemungkinan besar sulit untuk direalisasikan. Untuk itu, dari pihak hardware, haruslah dilakukan usaha untuk dapat membantu meringankan beban tersebut. Salah satu usul adalah menciptakan divais yang multifungsi sehingga divais menjadi lebih adaptif. Divais seperti ini dapat direalisasikan dengan menggunakan apa yang disebut sebagai intelligent material. IC yang terbuat dari divais yang adaptif seperti ini akan menjadi bermultifungsi tanpa harus membebani disain software yang makin kompleks.

Tantangan di Indonesia

Jadi terlihat bahwa teknologi semikonduktor berkembang sangat pesat dengan mengeksploitasi fenomena-fenomena fisika yang sebelumnya hanya tertulis dalam texbook semikonduktor atau zat padat saja. Hal ini dimungkinkan karena banyaknya kemajuan yang dicapai dalam pengembangan peralatan-peralatan penumbuh material dalam bentuk film tipis. Hal ini juga diimbangi dengan kemajuan dalam teknik fabrikasi divais dan proses produksi. Sebagai teknologi tinggi, teknologi semikonduktor saat ini hanya terpusat di negara-negara industri dan negara industri baru saja karena memang membutuhkan biaya riset yang besar dan banyak tenaga ahli. Untuk Indonesia, langkah terbaik yang harus dilakukan adalah secepat mungkin terlibat dalam teknologi ini sehingga tidak jauh tertinggal. Prioritas pengembangan harus dapat ditentukan sendiri tanpa harus mengikuti jejak dari negara-negara yang sudah lebih dahulu maju dengan teknologi ini. Hal ini tentunya harus dikaitkan dengan peluang kompetisi yang masih tersisa. Negara-negara industri baru di Asia sudah membuktikan bahwa selalu ada peluang yang dapat ditempuh. Salah satu langkah konkrit yang mendesak saat ini adalah memperbanyak para ahli yang menguasai teknologi ini sehingga dapat terbentuk suatu masyarakat semikonduktor ynag dapat bekerja sama.

TEORI TRANSFORMATOR

TEORI TRANSFORMATOR

Transormator (atau yang lebih dikenal dengan nama trafo) adalah suatu alat elektronik yang memindahkan energi dari satu sirkuit elektronik ke sirkuit lainnya melalui pasangan magnet. Trafo mempunyai dua bagian diantaranya yaitu bagian input (primer) dan bagian output (sekunder). Pada bagian primer atau pun bagian sekunder terdiri dari lilitan-lilitan tembaga.

Pada bagian primer, tegangan yang masuk disebut dengan tegangan primer (Vp) dengan lilitannya disebut dengan lilitan primer (Np), sedangkan pada bagian sekunder tegangan yang masuk disebut dengan tegangan sekunder (Vs) dengan lilitannya disebut dengan lilitan sekunder (Ns). Sehingga didapatkan hubungan bahwa:
 
Keterangan:
Vp = tegangan primer (volt)
Vs = tegangan sekunder (volt)
Np = jumlah lilitan primer (lilitan)
Ns = jumlah lilitan sekunder (lilitan)
Is = Arus Primer (Ampere)
Ip = Arus Sekunder (Ampere)

 
Jenis-jenis trafo
  • Trafo Step down digunakan untuk menurunkan tegangan, biasanya dipake pada trafo adaptor, radio, tape, dll
  • Trafo step up digunakan untuk menaikkan tegangan, biasanya digunakan pada INVERTER
  • Trafo input (trafo audio)
  • Trafo output (trafo audio)


TUTORIAL LAINNYA

    150W STEREO POWER AMPLIFIER

    150W STEREO POWER AMPLIFIER

    Rangkaian ini saya dapatkan pada saat saya membeli KIT elektronik produk BELL.... wah ternyata hasilnya cukup baik dikelasnya, dan tidak mengecewakan.... power full baget

    (click here to large)
    sumber : BELL ELEKTRONIC


    Untuk kemampuan power 150W seluruh rangkaiannya sama seperti diatas... (dan untuk power supply-nya gunakan power supply simetris 24 - 42V dengan trafo 5 Amper

    Untuk kemampuan power 400W maka Transistor power 2N3055 di ganti dengan transistor SANKEN 2SC2922 dan MJ2955 diganti dengan transistor SANKEN 2SA 1216, dan gunakan power supply simetris 24 - 42 V dengan trafo 10 amper

    Data sheet komponen (support by ALL DATA SHEET DOT COM)
    1. Transistor 2SA 733
    2. Transistor Power 2N 3055
    3. Transistor Power MJ 2955
    4. Transistor 2SC 2001 diganti sama  Transistor 2SD 400
    5. Transistor BD 139
    6. Transistor BD 140
    7. Transistor Power 2SC 2922 (MOSPEC)
    8. Transistor Power 2SA 1216 (MOSPEC)
    9. Transistor Power 2SC 2922 (SANKEN)
    10. Transistor Power 2SA 1216 (SANKEN)
    11. Dioda1N4148

      POWER SUPPLY WITH REGULATOR

      (click here to large)


      T3 dan T4 =  transistor 2N3055. 
      untuk keperluan arus 3A dan 5A, transistor T4 dilepas, cukup transistor T3 saja yang dipasang
      untuk keperluan arus 10 A, transistor T3 dan T4 dipasang semuanya, dan dioda penyearah jembatan 1N5404 di ganti dengan dioda bridge 10 A , sedangkan kapasitor Filter 2200uF diganti dengan 10.000uF/50V


      Data sheet komponen (support by ALL DATA SHEET DOT COM)
      1. IC Op Amp CA3130
      2. IC Regulator UA723
      3. Transistor Power 2N3055
      4. Dioda 1N5404 (dioda 3A)
      5. Dioda 6A
      6. Dioda 10 A


      PENGISI BAK AIR OTOMATIS (AUTOMATIC WATER LEVEL CONTROL)

      PENGISI BAK AIR OTOMATIS

      Rangkaian ini telah dimodifikasi sedemikian rupa dari desain aslinya, karena pada rangkaian aslinya beberapa komponen sangat sulit di dapatkan (IC dan resistor) sangat sulit di dapatkan di kota kelahiran penulis (makum wong deso), selain itu pada rangkaian aslinya sensitifitasnya agak kurang peka,,,, semoga bermanfaat



      "Lay Out Komponen nyusul lagi saya disain...."

      Data spesifikasi komponen di support oleh ALL DATA SHEET DOT COM

      1. CD4011
      2. Dioda 1N4002
      3. Transistor 2SC945



      TEORI BATERE


      Baterai adalah alat penyimpan tenaga listrik arus searah ( DC ). Ada beberapa jenis baterai / aki di pasaran yaitu jenis aki basah/konvensional, hybrid dan MF ( Maintenance Free ). Aki basah/konvensional berarti masih menggunakan asam sulfat ( H2SO4 ) dalam bentuk cair.  Sedangkan aki MF sering disebut juga aki kering karena asam sulfatnya sudah dalam bentuk gel/selai.  Dalam hal mempertimbangkan posisi peletakkannya maka aki kering tidak mempunyai kendala, lain halnya dengan aki basah.


      Aki konvensional juga kandungan timbalnya ( Pb ) masih tinggi sekitar 2,5%untuk masing-masing sel positif dan negatif.  Sedangkan jenis hybrid kandungan timbalnya sudah dikurangi menjadi masing-masing  1,7%, hanya saja sel negatifnya sudah ditambahkan unsur Calsium.  Sedangkan aki MF / aki kering sel positifnya masih menggunakan timbal 1,7% tetapi sel negatifnya sudah tidak  menggunakan timbal melainkan Calsium sebesar 1,7%. Pada Calsium battery Asam Sulfatnya ( H2SO4 ) masih berbentuk cairan, hanya saja hampir tidak
      memerlukan perawatan karena tingkat penguapannya kecil sekali dan dikondensasi kembali.  Teknologi sekarang bahkan sudah memakai bahan silver untuk campuran sel negatifnya.

      Ada beberapa pertimbangan dalam memilih aki :

      • Tata letak, apakah posisi tegak, miring atau terbalik.  Bila pertimbangannya untuk segala posisi maka aki kering adalah pilihan utama karena cairan air aki tidak akan tumpah.  Kendaraan off road biasanya menggunakan aki kering mengingat medannya yang berat. Aki ikut terguncang-guncang dan terbanting.  Aki kering tahan goncangan sedangkan aki basah bahan elektodanya mudah rapuh terkena goncangan.
      • Voltase / tegangan, di pasaran yang mudah ditemui adalah yang bertegangan 6V, 12V da 24V.  Ada juga yang multipole yang mempunyai beberapa titik tegangan.  Yang custom juga ada, biasanya dipakai untuk keperluan industri.
      • Kapasitas
        aki yang tertulis dalam satuan Ah ( Ampere hour ), yang menyatakan  kekuatan aki, seberapa lama aki tersebut dapat bertahan mensuplai arus untuk beban / load.
      • Cranking Ampere yang menyatakan seberapa besar arus start yang dapat disuplai untuk pertama kali pada saat beban dihidupkan.  Aki kering biasanya mempunyai cranking ampere yang lebih kecil dibandingkan aki basah, akan tetapi suplai tegangan dan arusnya relatif stabil dan konsisten.  Itu sebabnya perangkat audio mobil banyak menggunakan aki kering.
      • Pemakaian dari aki itu sendiri apakah untuk kebutuhan rutin yang sering dipakai ataukah cuma sebagai back-up saja.  Aki basah, tegangan dan kapasitasnya akan menurun bila disimpan lama tanpa  recharge, sedangkan aki kering relatif stabil bila di simpan untuk
        jangka waktu lama tanpa recharge.
      • Harga karena aki kering mempunyai banyak keunggulan maka harganya pun jauh lebih mahal daripada aki basah.  Untuk menjembatani rentang harga yang jauh maka produsen aki  juga  memproduksi jenis aki kalsium ( calcium battery ) yang harganya diantara keduanya.
      Secara garis besar, battery dibedakan berdasarkan aplikasi dan  konstruksinya.  Berdasarkan aplikasi maka battery dibedakan untuk  automotif, marine dan deep cycle.  Deep cycle itu meliputi battery  yang biasa digunakan untuk PV ( Photo Voltaic ) dan back up power.

      Sedangkan secara konstruksi maka battery dibedakan menjadi type basah,  gel dan AGM ( Absorbed Glass Mat ).  Battery jenis AGM biasanya  juga dikenal dgn VRLA ( Valve Regulated Lead Acid ). Battery kering Deep Cycle juga dirancang untuk menghasilkan tegangan yang stabil dan konsisten. Penurunan kemampuannya tidak lebih dari 1-2% per  bulan tanpa perlu dicharge.  Bandingkan dengan battery konvensional yang bisa mencapai 2% per minggu untuk self  discharge.  Konsekuensinya untuk charging pengisian arus ke  dalam battery Deep Cycle harus lebih kecil dibandingkan battery  konvensional sehingga butuh waktu yang lebih lama untuk mengisi  muatannya.  Antara type gel dan AGM hampir mirip hanya saja battery AGM mempunyai semua kelebihan  yang dimiliki type gel tanpa  memiliki kekurangannya.  Kekurangan type Gel adalah pada waktu  dicharge maka tegangannya harus 20% lebih rendah dari battery type AGM  ataupun basah.  Bila overcharged maka akan timbul rongga di dalam
      gelnya yg sulit diperbaiki sehingga berkurang kapasitas muatannya. Karena tidak ada cairan yang dapat membeku maupun mengembang, membuat battery  Deep Cycle tahan terhadap cuaca ekstrim yang membekukan.  Itulah  sebabnya mengapa pada cuaca dingin yang ekstrim, kendaraan yang  menggunakan baterai konvensional tidak dapat distart alias mogok.

      Ada 2 rating untuk battery yaitu CCA dan RC.
      * CCA ( Cold Cranking Ampere ) menunjukkan seberapa besar arus yang dapat dikeluarkan serentak selama 30 detik pada titik beku air yaitu 0 derajad Celcius.
      * RC ( Reserve Capacity ) menunjukkan berapa lama ( dalam menit ) battery tersebut dapat menyalurkan arus sebesar 25A sambil tetap menjaga  tegangannya di atas 10,5 Volt.

      Battery Deep Cycle mempunyai 2-3 kali lipat nilai RC dibandingkan battery
      konvensional.  Umur battery AGM rata-rata antara 5-8 tahun.

      TEORI SEL SURYA

      Teori Dasar Sel Surya
      Sigalingging (1994:1) menyatakan bahwa pada umumnya sel surya memiliki ketebalan minimum 0.3 mm, yang terbuat dari irisan bahan semikonduktor dengan kutub Positip dan Negatif. Wasito (1995:164) menyatakan bahwa dioda listrik surya / sel surya merupakan suatu dioda yang dapat mengubah energi surya / matahari secara langsung menjadi energi listrik (berdasarkan sifat foto elektrik yang ada pada setengah penghantar). Sel surya ini biasanya berbentuk dioda pertemuan P – N yang memiliki luas penampang tertentu. Semakin luas permukaan  atau penampang sel, semakin besar arus yang akan diperoleh. Satu sel surya dapat menghasilkan beda potensial sebesar 0.5V DC (dalam keadaan cahaya penuh). Beberapa sel dapat dideretkan guna memperoleh tegangan 6, 9, 12, 24V, dan seterusnya. Sel surya dapat pula dijajarkan guna memperoleh arus keluaran lebih besar. Bahan dasar dari sel surya adalah Silikon, dimana Fosfor digunakan untuk menghasilkan Silikon tipe – N dan Boron digunakan sebagai pencemar untuk memperoleh bahan tipe – P. Untuk struktur dari sel surya dapat dilihat pada Gambar 1.

      Gambar 1, Stuktur Sel Surya.
      (Sumber : Wasito, Vademekum Elektronika, 1995:165)

      Karakteristik Sel Surya
      Sigalingging (1994:10) menyatakan bahwa sel surya pada keadaan tanpa penyinaran, mirip seperti permukaan penyearah setengah gelombang dioda. Ketika sel surya mendapat sinar akan mengalir arus konstan yang arahnya berlawanan dengan arus dioda seperti pada Gambar 2.

      Gambar 2,  Karakteristik Suatu Sel Surya dan Dioda.
      (Sumber : Sigalingging,  Pembangkit Listrik Tenaga Surya, 1999:10)

      Dari Gambar 2.7 dapat dilihat bahwa grafik sel surya tidak tergantung dari sifat – sifat dioda. Jika diselidiki pada kuadran IV akan ditemukan tiga titik penting, yaitu :
      Ø  Tegangan beban nol U0 diukur tanpa beban tanpa dipengaruhi penyinaran.
      Ø  Arus hubungsingkat IK diukur saat sel hubungsingkat dan disini arus hubungsingkat berbanding lurus dengan kuat penyinaran.
      Ø  Titik daya maksimum (Maximum Power Point = MPP) dari sel surya didapatkan dari hasil arus dan tegangan yang dibuat pada setiap titik.

      Dalam hal U0 dan IK maksimum, daya yang dihasilkan oleh suatu sel surya sama dengan nol. Pada suatu titik tertentu daya sel surya mencapai titik maksimum dan titik ini disebut dengan titik MPP (Maximum Power Point), yang pada prakteknya selalu diusahakan agar pemakaian berpatokan dari titik MPP ini. Keadaan ini dapat dilihat pada Gambar 3. Konversi energi dari sel surya ke konsumen akan maksimum apabila tahanan pemakai (RL) dan tahanan sel surya memenuhi persamaan, berikut :
      RL = Ri
      Keadaan  ini pada teknik listrik disebut dengan istilah beban pas. Dengan bantuan pengubah tegangan searah khusus atau sering disebut MPT (Maximum Power Tracker) memungkinkan beban pas ini tercapai.

      Gambar 3, Karakteristik Suatu Sel Surya Monokristal dengan Luas 40 cm2, pada Penyinaran 1000 W/m2 dan Temperatur Sel 25° C
      (Sumber : Sigalingging Pembangkit Listrik Tenaga Surya, 1999:11)

      TEORI DIODA

      Teori Dasar Dioda

      Sumisjokartono (1985:29) menyatakan bahwa dioda merupakan suatu semikonduktor yang hanya dapat menghantar arus listrik dan tegangan listrik pada satu arah saja. Dioda dibuat dari bahan Germanium dan Silikon. Woollard (1993:49) juga menyatakan bahwa dioda merupakan dua terminal dan terbentuk dari dua jenis semikonduktor (Silikon jenis N dan jenis P) yang tersambung. Alat ini mampu dialiri oleh arus secara selektif dalam satu arah, tetapi amat sukar dalam arah kebalikannya. Untuk simbol dari dioda secara umum diperlihatkan pada Gambar 2.1.

      Gambar 1 Simbol Dioda.
      (Sumber: Woollard. Elektronika Praktis,1993:49)


      Jenis-jenis dari dioda diantaranya : Dioda Zener, LED, Infrared, Photodioda dan sebagainya.

      1. Dioda zener, biasanya dipasang pada suatu rangkaian elektronika sebagai pembatas tegangan pada nilai tertentu.

      2. LED (Light Emitting Diode), yaitu Dioda yang dapat memancarkan sinar, biasa digunakan sebagai lampu indikator dengan kelebihan yaitu umur aktifnya sangat lama jika dibandingkan dengan lampu pijar. Woollard (1993:60) LED akan aktif jika pada anoda dan katoda LED terdapat beda potensial sebesar 2 V dengan arus yang mengalir ke LED sebesar 20 mA. Jika kita tegangan sumber yang ada diatas 2 V, maka LED tersebut harus diserikan dengan sebuah resistor. Dimana resistor ini berfungsi sebagai pembatas arus. Rangkaian resistor pembatas arus pada LED dapat dilihat pada Gambar 2.2. Persamaan yang digunakan untuk mencari nilai Resistor tersebut adalah



       
       
      Gambar 2. Resistor Pembatas Arus Pada LED
      (Sumber: Woollard. Elektronika Praktis,1993:60)



      3. Infrared, bentuk fisiknya sama seperti LED, perbedaan terdapat pada keluaran / output – nya, dimana infrared hanya memancarkan sinar infra merah yang pancarannya tidak dapat terlihat oleh mata.


      Karakteristik Dioda

      Warsito (1983:123) menyatakan bahwa karakteristik dioda ada 2 (dua) yaitu karakteristik bias maju (forward bias) dan karakteristik bias balik (reverse bias). Karakteristik bias maju dioda diperoleh jika elektroda – elektroda dioda diberi potensial sehingga arus dapat mengalir (jadi anoda diberi potensial positif, sedangkan katoda diberi potensial negatif). Karakteristik dioda bias maju ini dapat dilihat pada Gambar 3.

      Sebaliknya karakteristik bias balik (reverse bias) dioda diperoleh jika elektroda – elektroda diberi potensial – potensial yang menyebabkan arus tidak dapat mengalir (yaitu anoda diberi potensial negatif, sedangkan katoda diberi potensial positif atau katoda lebih positif terhadap anoda). Karakteristik dioda bias balik ini diperlihatkan pada Gambar 4.


      Gambar 3 Karakteristik Dioda Bias Maju
      (Sumber: Warsito, Sirkit Arus Searah, 1983:123)


      Gambar 4 Lengkung Karakteristik Dioda Bias Balik
      (Sumber: Warsito, Sirkit Arus Searah, 1983:131)


      Dari Gambar 2.3 di atas, dapat diketahui bahwa : Tegangan mula (sama dengan tegangan antara anoda – katoda) yang kecil – kecil saja sudah akan membangkitkan arus. Di bawah 0,6V, arus naik dengan lambat sekali. Mulai dari kira-kira 0,6V arus naik dengan cepat, dioda menghantar. Tegangan 0,6V itu dinamakan tegangan ambang. Pada dioda Silikon tegangan ambangnya adalah kira-kira 0,6 – 0,7V, sedangkan pada dioda Germanium tegangan ambangnya itu ada kira-kira 0,2 – 0,3V.


      Barmawi, Malvino (1987:33) menyatakan bahwa dalam banyak rangkaian, khususnya pada rangkaian penyearah dipasang dioda yang paralel dengan beban seperti terlihat pada Gambar 2.5. Dioda yang dipasang demikian disebut dengan ”freewheeling dioda” atau sering juga disebut ”bypass dioda”. Fungsi dari dioda freewheeling adalah untuk melakukan komutasi atau transfer arus beban ke dioda freewheeling ( Dm ) pada saat tegangan beban berubah polaritasnya dari positif ke negatif.

      Freewheeling dioda mempunyai dua fungsi yaitu :

      1. Menghindari perubahan polaritas dari tegangan beban.

      2. Mentransfer arus beban.


      Gambar 5. Freewheeling Dioda
      (Sumber : Barmawi Malvino, Prinsip-prinsip Elektronika. 1987:33)

      TEORI IC (integrated Circuits)

      Chattopadhyay (1989:229) menyatakan bahwa dari segi pabrikasi, rangkaian terpadu (Integrated Circuits disingkat IC) dapat dibagi menjadi dua kelas : monolitik dan hibrida. Rangkaian terpadu monolitik adalah rangkaian terpadu, dimana rangkaian lengkap, termasuk elemen aktif dan pasif dan sambungan – sambungannya, terbentuk atas atau di dalam lempengan tunggal kristalin silikon. Kata monolitik berasal dari dua kata Yunani, yaitu monos yang berarti tunggal dan lithos yang berarti batu. Bagian dari  wafer silikon yang berisi rangkaian terpadu dinamakan serpih (chip). Misal serpih yang kecil dengan ukuran 1.65 mm x 1.65 mm biasanya dapat menampung 35 transistor, 30 tahanan, beberapa kapasitor dan sambungan – sambungannya. Dalam rangkaian terpadu hibrida, komponen – komponen dipasang pada landasan keramik dan diantar hubungkan dengan kawat – kawat atau pola metalisasi. IC hibrida dapat berisi sejumlah IC monolitik. 

      TEORI RELAY

      Relay

      Owen Bishop (2004: 55) menyatakan relay adalah sebuah saklar yang dikendalikan oleh arus. Relay memiliki sebuah kumparan tengah rendah yang dililitkan pada sebuah inti, terdapat sebuah armatur sebuah besi yang akan tertarik menuju inti apabila arus mengalir melewati kumparan. Armatur ini terpasang pada sebuah tuas
      pegas. Ketika armatur tertarik menuju ini, kontak jalur bersama akan merubah posisinya dari kontak normal tertutup ke kontak normal terbuka.

      Sedangkan Rusmadi, Dedy (1999 : 64) menyatakan bahwa Relay adalah sebuah saklar elektromagnetik yang prinsip kerjanya menggunakan asas kumparan listrik. Prinsip kerja dari relay adalah sebagai berikut. Sebuah kumparan yang berintikan sebuah lempengan besi lunak yang apabila dialiri aliran listrik, maka lempengan besi lunak tersebut akan menjadi magnet. Magnet tersebut menarik atau menolak pegas kontak sebuah alat penghubung dan akibatnya akan terjadi kontak dan lepas kontak dari alat penghubung tersebut.

      Prinsip seperti ini dapat dimanfaatkan sebagai dasar pembuatan sakelar otomatis yang banyak dipergunakan dalam bidang elektronika. Fungsi dari relay adalah untuk menghubungkan dan memutuskan suatu hubungan
      rangkaian dan prinsip kerjanya adalah menggunakan elektromagnetik yang berasal dari sebuah kumparan yang berintikan besi lunak.

      Dalam rangkaian elektronika relay pada umumnya digambarkan dengan bentuk simbol seperti pada gambar di bawah ini.



      Gambar 1, Simbol Relay

      (Sumber : Rusmadi, Dedy, 1999: 64)



      Gambar 2, Konstruksi pada relay

      (Sumber: Owen Bishop, Dasar-dasar Elektornika, 2004: 55)

      Gambar 2.42 Bentuk nyata dari Relay
      (Sumber ; Good Sky Elektric Co.Ltd. 2007: 1)




      terima pembuatan jingle perusahaan / usaha anda "murah bergaransi" hubungi 081915715383

      Share

      Twitter Delicious Facebook Digg Stumbleupon Favorites More